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フラッシュメモリは、データの読み書きが行える記憶媒体の一種です。 データの消去が一瞬で行えるという特長から、カメラのフラッシュをイメージして名付けられたとされています。 「不揮発性メモリ」に分類され、フラッシュメモリに記録されたデータは電源を切っても残り続けるのが特長です。 技術的にはROMの一種であるEEPROMに由来するため「フラッシュROM」とも呼ばれます。 フラッシュメモリは、構造の違いによってNAND型とNOR型の2種類に大きく分けられます。
NAND型は、各メモリセルを直列に接続したものです。単にフラッシュメモリといった場合は、NAND型フラッシュメモリを指すのが一般的です。
NOR型は、各メモリセルを並列に配置したものです。 ランダムアクセスデータの読み取りは高速ですが、データの書き込みは低速です。 大容量化には適しておらず、NAND型と比べて容量あたりの価格も高めです。
一般的なNANDフラッシュメモリの場合、個々のセルはおよそ1千～1万回程度の書き込みと消去で寿命に達するとされています。 新品のフラッシュメモリセルがデータを10年以上保持できるのに対して、 何度も書き込みと消去を繰り返したセルは、データを保持できる時間が短くなってきます。 そして最後には全くデータを記録できなくなってそのセルは寿命を迎えます。 このため、実際のストレージ製品では、いろいろな技術を用いてフラッシュメモリの寿命を延ばす工夫が凝らされています。